Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Количество 2 планки по 4 гб
